Investigation of the Internal Amplification Effect on Planar (p+–n–n+) Structures Made of High-Resistivity Silicon
S. A. Golubkov, Yu. B. Gurov, K. N. Gusev, N. N. Egorov, N. I. Zamyatin, S. L. Katulina, Yu. F. Kozlov, K. A. Kon'kov, V. G. Sandukovsky, A. I. Sidorov, A. S. StarostinVolume:
47
Language:
english
Pages:
10
DOI:
10.1023/b:inet.0000049703.01596.be
Date:
November, 2004
File:
PDF, 180 KB
english, 2004