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Zum Wachstum von AIIIBV-Halbleitern aus nichtstöchiometrischen Schmelzen (II) Dotierung von GaAs und Ga1−xAlxAs mit Zink
Dr. K. Jacobs, Dr. B. Jacobs, Prof. Dr. sc. E. ButterVolume:
7
Year:
1972
Pages:
9
DOI:
10.1002/crat.19720071105
File:
PDF, 391 KB
1972