Annealing temperature effects on the electrical characteristics of p-channel polysilicon thin film transistors
M. Cuscunà, G. Stracci, A. Bonfiglietti, A. di Gaspare, L. Maiolo, A. Pecora, L. Mariucci, G. FortunatoVolume:
352
Year:
2006
Language:
english
DOI:
10.1016/j.jnoncrysol.2005.10.050
File:
PDF, 183 KB
english, 2006