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Propriétés électriques de l'arséniure de gallium dopé à l'étain, déposé par épitaxie en phase vapeur à partir d'organometalliques
Roth, A. P., Beckett, D., Sundaram, V. S., Yakimova, R.Volume:
63
Journal:
Canadian Journal of Physics
DOI:
10.1139/p85-103
Date:
June, 1985
File:
PDF, 291 KB
1985