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Impact of proton fluence on DC and trapping characteristics in InAlN/GaN HEMTs
Rossetto, I., Rampazzo, F., Gerardin, S., Meneghini, M., Bagatin, M., Zanandrea, A., Dua, C., di Forte-Poisson, M.-A., Aubry, R., Oualli, M., Delage, S.L., Paccagnella, A., Meneghesso, G., Zanoni, E.Volume:
113
Language:
english
Journal:
Solid-State Electronics
DOI:
10.1016/j.sse.2015.05.013
Date:
November, 2015
File:
PDF, 795 KB
english, 2015