Etude structurale, par diffraction de R-X, des liaisons dans les semiconducteurs ternaires ZnSiAs2, ZnGeAs2 et ZnSnAs2
M. Levalois, G. AllaisVolume:
109
Year:
1988
Pages:
8
DOI:
10.1002/pssa.2211090110
File:
PDF, 565 KB
1988