Zum Einfluß des Oberflächenpotentials auf die Frequenzdispersion der Admittanz von GaAs-MIS-Teststrukturen sowie der Gatekapazität und Steilheit von MESFETs I. SiNx-Passivierung und Teststrukturen
G. KadenVolume:
120
Year:
1990
Pages:
11
DOI:
10.1002/pssa.2211200242
File:
PDF, 617 KB
1990