Study of silicon doped with zinc ions and annealed in...

Study of silicon doped with zinc ions and annealed in oxygen

Privezentsev, V. V., Kirilenko, E. P., Goryachev, A. N., Batrakov, A. A.

Наскільки Вам сподобалась ця книга?

Яка якість завантаженого файлу?

Скачайте книгу, щоб оцінити її якість

Яка якість скачаних файлів?

Том:

Мова:

english

Журнал:

Semiconductors

DOI:

10.1134/S1063782617020154

Date:

February, 2017

Файл:

PDF, 820 KB

english, 2017

Виконується конвертація в

Конвертація в не вдалась