Dislocation confinement in the growth of Na flux GaN on metalorganic chemical vapor deposition-GaN
Takeuchi, S., Asazu, H., Imanishi, M., Nakamura, Y., Imade, M., Mori, Y., Sakai, A.Том:
118
Мова:
english
Журнал:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.4939159
Date:
December, 2015
Файл:
PDF, 1.79 MB
english, 2015
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
