Modélisation bidimensionnelle dynamique du transistor à...

Modélisation bidimensionnelle dynamique du transistor à effet de champ MESFET : application à la conception de profils optimisés pour fonctionnement en faible bruit

Heliodore, F., Salmer, G., Druelle, Y., Lefebvre, M., El Sayed, O.
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Volume:
23
Year:
1988
Language:
french
Journal:
Revue de Physique Appliquée
DOI:
10.1051/rphysap:019880023070118500
File:
PDF, 1.76 MB
french, 1988
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