ChemInform Abstract: EIGENSCHAFTEN VON FILMEN, DIE DURCH OXIDATION VON SIH4 IN EINEM HOCHFREQUENZ-GASENTLADUNGSPLASMA HERGESTELLT WURDEN
KALNYNYA, R. P., FELTYN', I. A., OREIBERGA, L. A., EGLITIS, I. E., EIMANIS, I. A.Volume:
6
Journal:
Chemischer Informationsdienst
DOI:
10.1002/chin.197528051
Date:
July, 1975
File:
PDF, 111 KB
1975