A new model for the growth of silicon dioxide layers

A new model for the growth of silicon dioxide layers

Lu, Y. Z., Cheng, Y. C.
Наскільки Вам сподобалась ця книга?
Яка якість завантаженого файлу?
Скачайте книгу, щоб оцінити її якість
Яка якість скачаних файлів?
Том:
56
Рік:
1984
Мова:
english
Журнал:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.334145
Файл:
PDF, 614 KB
english, 1984
Виконується конвертація в
Конвертація в не вдалась